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![三星电子副会长全永铉与英伟达黄仁勋会面，讨论 HBM4、晶圆代工等]()
三星电子副会长全永铉与英伟达黄仁勋会面，讨论 HBM4、晶圆代工等
关于与英伟达就内存供应达成长期协议一事，全永铉表示：“三星电子将尽最大努力，作为英伟达最好的合作伙伴来协助其取得成功。”06月08日 -
![英伟达黄仁勋：三星、SK 海力士、美光通过认证，有资格供应 HBM4 内存]()
英伟达黄仁勋：三星、SK 海力士、美光通过认证，有资格供应 HBM4 内存
黄仁勋表示，已批准三星电子、SK 海力士和美光科技供应 HBM4，这是英伟达用于人工智能工作的下一代 Vera Rubin 平台不可或缺的组件。（彭博社）06月05日 -
![美光 HBM4 增产进展顺利，HBM4E 计划明年启动大规模生产]()
美光 HBM4 增产进展顺利，HBM4E 计划明年启动大规模生产
当地时间 5 月 20 日，美光科技全球运营执行副总裁马尼什 · 巴蒂亚在摩根大通投资者会议上表示，美光 HBM4 的量产爬坡速度，已经达到去年 12 层 HBM3E 产品的约两倍，良率提升速度也更快。05月25日 -
![美光 CEO 称 AI 仍处于“早期阶段”：DRAM 内存和 NAND 闪存供应持续吃紧，预测 AI 将消耗今年总量五成以上]()
美光 CEO 称 AI 仍处于“早期阶段”：DRAM 内存和 NAND 闪存供应持续吃紧，预测 AI 将消耗今年总量五成以上
美光 CEO 桑杰・梅赫罗特拉指出，当前 AI 浪潮仅处“早期阶段”，AI 智能体的崛起正推动对高速、大容量存储的爆炸性需求。然而，整个存储行业正面临产能无法轻易跟上的供应紧张局面。AI 对 DRAM 和 NAND 的需求预计今年将超行业总规模 50%，传统与 AI 服务器均受限于供应缺口。#AI 存储# #内存供应紧张#05月03日 -
![消息称三星电子计划 5 月生产首批 HBM4E 内存性能样品]()
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![消息称三星晶圆代工 HBM4 内存基础裸片报价上调 40~50%]()
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![三星电子第一季度营业利润同比暴增 755% 创纪录，AI 存储芯片成核心驱动力]()
三星电子第一季度营业利润同比暴增 755% 创纪录，AI 存储芯片成核心驱动力
三星电子第一季度营业利润同比激增 755%，创下历史新高。强劲增长主要由 AI 存储芯片需求驱动，特别是用于数据中心的高带宽内存（HBM）。#三星电子# #AI 芯片# 分析师认为，AI 推理需求的持续强劲将支撑芯片价格维持高位，三星也正通过新一代 HBM4 和 HBM4E 芯片巩固其市场地位。04月07日 -
![消息称三星将向 OpenAI 供应 HBM4 芯片，用于后者首款自研 AI 处理器]()
消息称三星将向 OpenAI 供应 HBM4 芯片，用于后者首款自研 AI 处理器
三星计划今年下半年向 OpenAI 供应最高 8 亿 Gb 的 12 层 HBM4 芯片，用于其与博通合作开发的首款自研 AI 处理器。该处理器预计由台积电 Q3 开始生产，年底推出。同时，三星也与 AMD 签署协议，将成为其 AI GPU 的 HBM4 核心供应商。#AI 芯片# #三星 HBM4#03月19日 -
![SK 海力士亮相英伟达 GTC 2026，集中展出 HBM4 等下一代 AI 存储产品]()
SK 海力士亮相英伟达 GTC 2026，集中展出 HBM4 等下一代 AI 存储产品
SK 海力士在英伟达 GTC 2026 大会上，集中展示了与英伟达深度合作的下一代 AI 存储产品，包括备受关注的 HBM4、HBM3E、SOCAMM2 以及液冷固态硬盘等。公司通过互动体验区，让参观者直观理解高性能存储背后的技术原理。随着 AI 技术演进，存储器正成为决定基础设施性能的核心要素。#GTC2026# #AI 存储#03月17日 -
![曝英伟达突袭三星半导体 HBM4 产线，意图通过“大棒加胡萝卜”组合拳压低供货价格]()
曝英伟达突袭三星半导体 HBM4 产线，意图通过“大棒加胡萝卜”组合拳压低供货价格
据韩媒报道，3 月 11 日英伟达访问三星半导体生产园区，细致审查产线并严厉批评。业内认为其是为在 HBM4 供货谈判中压价。此前英伟达也常用此策略。#英伟达 #三星 #HBM4#03月14日 -
![22TB/s 目标难实现：英伟达下调“Vera Rubin”VR200 所用 HBM4 规格，首批带宽约 20TB/s]()
22TB/s 目标难实现：英伟达下调“Vera Rubin”VR200 所用 HBM4 规格，首批带宽约 20TB/s
因 SK 海力士与三星在量产阶段面临技术瓶颈，英伟达下一代 Rubin GPU 的 HBM4 内存带宽目标从 22TB/s 下调至约 20TB/s。美光因速率未达标基本退出初期供应，转而供应 Vera CPU 的 LPDDR5X 内存。Rubin 平台仍是英伟达巩固 AI 加速器地位的关键。#AI 芯片##HBM4##英伟达 GTC2026#03月04日 -
![消息称 SK 海力士探索 HBM4 全新封装技术，通过缩小 DRAM 间隙提升性能]()
消息称 SK 海力士探索 HBM4 全新封装技术，通过缩小 DRAM 间隙提升性能
韩媒报道称三星与 SK 海力士竞争 HBM4 市场。SK 海力士正为 HBM4 及未来产品开发新封装方案，虽面临间隙缩小难题，但积极测试新技术，成功商业化后有望提升 HBM4 性能。#HBM4 #SK 海力士 #封装技术#03月03日 -
![消息称英伟达考虑对 Rubin GPU 的 HBM4 需求分档，兼顾性能与供应]()
消息称英伟达考虑对 Rubin GPU 的 HBM4 需求分档，兼顾性能与供应
英伟达考虑在核心产品中应用 11.7Gbps 的高速 HBM4，而 10Gbps 的较低速度 HBM4 则被分配给次要产品。02月22日 -
![消息称三星 HBM4 芯片最高涨价 30%，公司股价创历史新高]()
消息称三星 HBM4 芯片最高涨价 30%，公司股价创历史新高
三星正就新一代HBM4芯片进行定价谈判，价格或较上一代上涨高达30%，每颗约700美元。此举凸显了AI存储芯片市场的供应紧张和三星重获的定价权。消息推动三星股价创历史新高，韩国Kospi指数今年已累计上涨34%。#AI芯片##三星电子#02月19日 -
![消息称三星、SK 海力士面临 HBM4 产能、良率问题，或促使英伟达放宽要求]()
消息称三星、SK 海力士面临 HBM4 产能、良率问题，或促使英伟达放宽要求
三星虽率先量产HBM4，但1c DRAM良率仅60%，月产能仅6-7万片；SK海力士初期产品可靠性测试或难达11Gbps。业内预计英伟达可能采购10.6Gbps等次高规格产品，放宽良率要求以稳定供应链。#AI芯片##HBM4##英伟达供应链#02月13日 -
![行业首个，三星电子启动 HBM4 内存量产并向客户交付商用产品]()
行业首个，三星电子启动 HBM4 内存量产并向客户交付商用产品
根据官方介绍，三星此次直接采用第六代 10nm 级 DRAM 工艺（1c），并结合 4nm 逻辑制程，从量产初期便实现稳定良率与行业领先性能，且无需额外重新设计。02月12日 -
![美光 CFO 澄清：HBM4 内存已大规模量产，整体进度好于此前预期]()
美光 CFO 澄清：HBM4 内存已大规模量产，整体进度好于此前预期
Mark Murphy 表示，市场对存储半导体的需求远高于包括美光在内的整个行业的供应能力，对于一些重要客户美光仅能满足需求量的 1/2~2/3。02月12日 -
![消息称美光痛失英伟达 HBM4 大单，韩系双雄 SK 海力士、三星瓜分市场]()
消息称美光痛失英伟达 HBM4 大单，韩系双雄 SK 海力士、三星瓜分市场
SemiAnalysis 行业分析显示，韩系厂商 SK 海力士与三星将主导下一代高带宽内存市场，而美光（Micron）因技术路线受挫，或将痛失英伟达下一代 Rubin 芯片的 HBM4 订单，份额恐降至 0%。02月10日 -
![最快下周交付英伟达，消息称三星本月启动 HBM4 内存大规模生产]()
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![扩产近两成：消息称三星电子将在平泽 P4 建设大型 HBM4 用 1c nm 内存产线]()
扩产近两成：消息称三星电子将在平泽 P4 建设大型 HBM4 用 1c nm 内存产线
该生产线月产能达 10~12 万片晶圆，如果加上现有的约 6.5 万片晶圆 1c nm 月产能，那 HBM4 届时将占据三星 DRAM 产能的约 1/4。02月05日
